规格:功率耗散(最大值) -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1320)
光电元件
(94)
分立半导体产品
(1226)
筛选品牌
Knowles Voltronics (1)
M/A-Com Technology Solutions (40)
Red Lion Controls (6)
Diodes Incorporated (13)
Everlight Electronics Co Ltd (1)
IXYS (165)
Murata Power Solutions Inc. (2)
Infineon Technologies (90)
NXP USA Inc. (33)
Broadcom Limited (361)
STMicroelectronics (27)
Taiwan Semiconductor Corporation (2)
Adafruit Industries LLC (2)
Microchip Technology (1)
Micro Commercial Co (3)
Panasonic Electronic Components (13)
EPC (83)
Nexperia USA Inc. (24)
SparkFun Electronics (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (42)
GeneSiC Semiconductor (3)
Lite-On Inc. (14)
Omron Electronics Inc-EMC Div (43)
Fairchild/Micross Components (2)
Fairchild/ON Semiconductor (33)
ON Semiconductor (126)
Renesas Electronics America (2)
Vishay Semiconductor Diodes Division (67)
Vishay Siliconix (73)
Parallax Inc. (2)
Rohm Semiconductor (27)
Skyworks Solutions Inc. (18)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Adafruit Industries LLC
DUAL ALPHANUMERIC DISPLAY - BLUE
详细描述:Character LED Display Module Blue 14-Segment, Alphanumeric 2 Character Common Cathode 0.80" H x 1.00" W x 0.30" D (21.00mm x 25.00mm x 7.00mm) 18-DIP (0.600", 15.24mm)
型号:
1908
仓库库存编号:
1528-2231-ND
别名:1528-2231
规格:功率耗散(最大值) -,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Tc) D2PAK
型号:
STB16NF25
仓库库存编号:
STB16NF25-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH DPAK
详细描述:MOSFET N-CH DPAK
型号:
STD150N2LH5
仓库库存编号:
STD150N2LH5-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
详细描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
型号:
STQ2N62K3-AP
仓库库存编号:
STQ2N62K3-AP-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6530AL,115
仓库库存编号:
568-7366-1-ND
别名:568-7366-1
PH6530AL115
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030AL,115
仓库库存编号:
PH9030AL,115-ND
别名:934063092115
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 600mA(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9113
仓库库存编号:
IRFD9113-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V SOT-23-6
型号:
ZXM63N02E6TA
仓库库存编号:
ZXM63N02E6DKR-ND
别名:ZXM63N02E6DKR
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRF510L
仓库库存编号:
IRF510L-ND
别名:*IRF510L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) TO-262
型号:
IRF614L
仓库库存编号:
IRF614L-ND
别名:*IRF614L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF620L
仓库库存编号:
IRF620L-ND
别名:*IRF620L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF624L
仓库库存编号:
IRF624L-ND
别名:*IRF624L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF634L
仓库库存编号:
IRF634L-ND
别名:*IRF634L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) I2PAK
型号:
IRF644L
仓库库存编号:
IRF644L-ND
别名:*IRF644L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF710L
仓库库存编号:
IRF710L-ND
别名:*IRF710L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF730L
仓库库存编号:
IRF730L-ND
别名:*IRF730L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF734L
仓库库存编号:
IRF734L-ND
别名:*IRF734L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF737LCL
仓库库存编号:
IRF737LCL-ND
别名:*IRF737LCL
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号