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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 120A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC230N085T
  仓库库存编号：IXTC230N085T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N055T
  仓库库存编号：IXTP180N055T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N055T
  仓库库存编号：IXTQ180N055T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 500mA（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU05N120
  仓库库存编号：IXTU05N120-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 44A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU44N10T
  仓库库存编号：IXTU44N10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 ECO-PAC2
  
  型号：VMO40-05P1
  仓库库存编号：VMO40-05P1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 ECO-PAC2
  
  型号：VMO80-05P1
  仓库库存编号：VMO80-05P1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Parallax Inc.
  MODULE 7SEG-DB 4-DGT MASTER UNIT
  详细描述：Character LED Display Module Amber 7-Segment 4 Character Module
  
  型号：28312
  仓库库存编号：28312-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Parallax Inc.
  MODULE 7SEG-DB 4-DGT SLAVE UNIT
  详细描述：Character LED Display Module Amber 7-Segment 4 Character Module
  
  型号：28313
  仓库库存编号：28313-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806NA-1G
  仓库库存编号：NTD4806NA-1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806NA-35G
  仓库库存编号：NTD4806NA-35G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4806NAT4G
  仓库库存编号：NTD4806NAT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS070N03TB1
  仓库库存编号：RRS070N03TB1CT-ND
  别名：RRS070N03TB1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS100N03TB1
  仓库库存编号：RRS100N03TB1CT-ND
  别名：RRS100N03TB1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS125N03TB1
  仓库库存编号：RRS125N03TB1CT-ND
  别名：RRS125N03TB1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS130N03TB1
  仓库库存编号：RRS130N03TB1CT-ND
  别名：RRS130N03TB1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），78A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4857NAT4G
  仓库库存编号：NTD4857NAT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 70A（Ta） TO-3P
  
  型号：FD70N20PWD
  仓库库存编号：FD70N20PWD-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR840DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR840DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR840DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8031-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8031-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8032-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8032-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8033-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8033-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8038-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8012-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8012-H(TE12LQM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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