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• Panasonic Electronic Components
  DIODE PIN 60V 100MA SSMINI-2P
  详细描述：RF Diode PIN - Single 60V 100mA SSMini2-F4
  
  型号：MA2SP060GL
  仓库库存编号：MA2SP060GLCT-ND
  别名：MA2SP060GLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE SCHOTTKY 1V 0201
  详细描述：RF Diode Schottky 1V 0201
  
  型号：SMS7630-093
  仓库库存编号：863-1126-1-ND
  别名：863-1126-1
  SMS7630093
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：5X49_BG7002B
  仓库库存编号：5X49_BG7002B-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH DO-35
  详细描述：通孔 N 沟道 DO-35
  
  型号：FDH633605
  仓库库存编号：FDH633605-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 17A（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF17N45T
  仓库库存编号：FDPF17N45T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7764A
  仓库库存编号：FDS7764A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224BTM_TC002
  仓库库存编号：IRFR224BTM_TC002-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-92-3
  
  型号：PN3685
  仓库库存编号：PN3685-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 330V 7A（Ta） TO-220-3
  
  型号：TLC530FTU
  仓库库存编号：TLC530FTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 330V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 330V 7A（Ta） TO-220-3
  
  型号：TLC530TU
  仓库库存编号：TLC530TU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A04-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC40N30Q
  仓库库存编号：IXFC40N30Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N06
  仓库库存编号：IXFH80N06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 54A（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA54N30T
  仓库库存编号：IXTA54N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 62A（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA62N25T
  仓库库存编号：IXTA62N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 72A（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA72N20T
  仓库库存编号：IXTA72N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC102N20T
  仓库库存编号：IXTC102N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC102N25T
  仓库库存编号：IXTC102N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC130N15T
  仓库库存编号：IXTC130N15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 72A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC72N30T
  仓库库存编号：IXTC72N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 90A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY06N120P
  仓库库存编号：IXTY06N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 1900A（Tc） Y3-Li
  
  型号：VMO1600-02P
  仓库库存编号：VMO1600-02P-ND
  别名：VMO160002P
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4909NAT4G
  仓库库存编号：NTD4909NAT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4906NAT4G
  仓库库存编号：NTD4906NAT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906NA-35G
  仓库库存编号：NTD4906NA-35G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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