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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 33A(Ta) 模具
型号:
EPC2815
仓库库存编号:
917-1036-1-ND
别名:917-1036-1
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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EPC
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 12A(Ta) 模具
型号:
EPC2818
仓库库存编号:
917-1037-1-ND
别名:917-1037-1
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN15UN,115
仓库库存编号:
568-10795-1-ND
别名:568-10795-1
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 3DFN
详细描述:MOSFET 3DFN
型号:
PMZ290UNYL
仓库库存编号:
568-10839-1-ND
别名:568-10839-1
PMZ290UN,315
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 4.4A(Ta) 模具
型号:
EPC8004ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8004ENGR-ND
别名:917-EPC8004ENGR
EPC8004ENGA
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 4.1A(Ta) 模具
型号:
EPC8009ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8009ENGR-ND
别名:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
SCH PLASTIC ZBD UNCONN PAIR
详细描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 1.5V SOT-143
型号:
MA4E2200E1-1068T
仓库库存编号:
1465-1222-1-ND
别名:1465-1222-1
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 450mA(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD213
仓库库存编号:
IRFD213-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
详细描述:P 沟道 30V 320mA(Ta)
型号:
VP0300B-E3
仓库库存编号:
VP0300B-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P
仓库库存编号:
VQ1004P-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-2
仓库库存编号:
VQ1004P-2-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-E3
仓库库存编号:
VQ1004P-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
详细描述:RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ
型号:
JDP4P02AT(TE85L)
仓库库存编号:
JDP4P02AT(TE85L)CT-ND
别名:JDP4P02AT(TE85L)CT
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta)
型号:
DMG6968LSD-13
仓库库存编号:
DMG6968LSD-13DI-ND
别名:DMG6968LSD-13DI
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
详细描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
型号:
DMP3025LK3-13-01
仓库库存编号:
DMP3025LK3-13-01DITR-ND
别名:DMP3025LK3-13-01DITR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW 35V 100MA DO35
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35
型号:
BA282-TAP
仓库库存编号:
BA282-TAP-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW 35V 100MA DO35
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35
型号:
BA283-TAP
仓库库存编号:
BA283-TAP-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW 35V 100MA DO35
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35
型号:
BA282-TR
仓库库存编号:
BA282-TR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW 35V 100MA DO35
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35
型号:
BA283-TR
仓库库存编号:
BA283-TR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
详细描述:RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
型号:
BA682-GS18
仓库库存编号:
BA682-GS18-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF-M
详细描述:RF Diode SOD-80 MiniMELF
型号:
BA682-M-18
仓库库存编号:
BA682-M-18-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
详细描述:RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
型号:
BA683-GS18
仓库库存编号:
BA683-GS18-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF-M
详细描述:RF Diode SOD-80 MiniMELF
型号:
BA683-M-18
仓库库存编号:
BA683-M-18-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BAND SW 100MA SOD123
详细描述:RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-123
型号:
BA782-E3-18
仓库库存编号:
BA782-E3-18-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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