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EPC
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2031ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2031ENGR-ND
别名:917-EPC2031ENGR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2032ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2032ENGR-ND
别名:917-EPC2032ENGR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGR-ND
别名:917-EPC2033ENGR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2034ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2034ENGR-ND
别名:917-EPC2034ENGR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 25V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 15V 3.4A(Ta) 模具
型号:
EPC2040ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2040ENGR-ND
别名:917-EPC2040ENGR
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6.8A(Ta) 模具
型号:
EPC2039ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2039ENGRCT-ND
别名:917-EPC2039ENGRCT
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4A(Ta) 模具
型号:
EPC2025
仓库库存编号:
917-1125-1-ND
别名:917-1125-1
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2022ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2022ENGRCT-ND
别名:917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Murata Power Solutions Inc.
4.5 DIGIT BCD DISPLAY GREEN
详细描述:Character LED Display Module Green 7-Segment 4.5 Character 35mA 0.920" H x 2.170" W x 0.560" D (23.37mm x 55.12mm x 14.22mm) Module
型号:
DSD-40BCD-GS-C
仓库库存编号:
DSD-40BCD-GS-C-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Murata Power Solutions Inc.
4.5 DIGIT, BCD DISPLAY RED
详细描述:Character LED Display Module Red 7-Segment 4.5 Character 35mA 0.920" H x 2.170" W x 0.560" D (23.37mm x 55.12mm x 14.22mm) Module
型号:
DSD-40BCD-RL-C
仓库库存编号:
DSD-40BCD-RL-C-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
COM RF SWITCH, 0805P
详细描述:RF Diode PIN - Single 300V 200mA 0805P
型号:
MSWSE-044-10
仓库库存编号:
1702-1002-1-ND
别名:1702-1002-1
规格:功率耗散(最大值) -,
不适用
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V SOT-223
型号:
ZXMP6A16GTA
仓库库存编号:
ZXMP6A16GTA-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Ta) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3315
仓库库存编号:
IRFBL3315-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Ta) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9530N
仓库库存编号:
IRFI9530N-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2S
仓库库存编号:
IRL3103D2S-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2STRL
仓库库存编号:
IRL3103D2STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Ta) SOT-223
型号:
IRLL1503
仓库库存编号:
IRLL1503-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRR
仓库库存编号:
IRF3314STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 8-SO
型号:
IRF7203TR
仓库库存编号:
IRF7203TR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
IRF7423TR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
IRF7426TR
仓库库存编号:
IRF7426TR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET
详细描述:MOSFET
型号:
IRFC2604B
仓库库存编号:
IRFC2604B-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD5N03LAG
仓库库存编号:
IPD5N03LAGINCT-ND
别名:IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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