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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410CPBF
  仓库库存编号：IRLR3410CPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NCPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NCPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 60A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRFR3704ZCPBF
  仓库库存编号：IRFR3704ZCPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 36A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRLR2905CPBF
  仓库库存编号：IRLR2905CPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14.5A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809PBF
  仓库库存编号：IRF7809PBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSSLP-2
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 110mA PG-TSSLP-2
  
  型号：BAT 15-02LS E6327
  仓库库存编号：BAT 15-02LS E6327-ND
  别名：SP000273991
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF045N03MQ3 G
  仓库库存编号：BSF045N03MQ3 G-ND
  别名：SP000458790
  SP000597844
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH2030AL,115
  仓库库存编号：PH2030AL,115-ND
  别名：934062275115
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3430AL,115
  仓库库存编号：PH3430AL,115-ND
  别名：934063086115
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03M G
  仓库库存编号：IPD031N03M GINCT-ND
  别名：IPD031N03M GINCT
  IPD031N03MG
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  DIODE DUAL 1500V SOT186A
  详细描述：RF Diode Standard - 1 Pair Series Connection 1500V 10A TO-220-3
  
  型号：BYM359X-1500,127
  仓库库存编号：BYM359X-1500,127-ND
  别名：934055548127
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ10TA,127
  仓库库存编号：PHP45NQ10TA,127-ND
  别名：934059957127
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH4530AL,115
  仓库库存编号：PH4530AL,115-ND
  别名：934063198115
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA892H6127XTSA1
  仓库库存编号：BA892H6127XTSA1TR-ND
  别名：BA 892 H6127
  BA 892 H6127-ND
  SP000745042
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA892H6770XTSA1
  仓库库存编号：BA892H6770XTSA1TR-ND
  别名：BA 892 H6770
  BA 892 H6770-ND
  SP000745044
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 50V 50MA SCD80
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA895H6327XTSA1
  仓库库存编号：BA895H6327XTSA1TR-ND
  别名：BA 895 H6327
  BA 895 H6327-ND
  SP000745062
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110mA PG-SOT23-3
  
  型号：BAT1504RE6327HTSA1
  仓库库存编号：BAT1504RE6327HTSA1TR-ND
  别名：BAT 15-04R E6327
  BAT 15-04R E6327-ND
  SP000659920
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  DIODE DUAL 1500V SOT186A
  详细描述：RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3
  
  型号：BYM357X,127
  仓库库存编号：BYM357X,127-ND
  别名：934056030127
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  DIODE DUAL 1500V SOT186A
  详细描述：RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3
  
  型号：BYM358X,127
  仓库库存编号：BYM358X,127-ND
  别名：934056151127
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  详细描述：MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  
  型号：IRFI4121H-117P
  仓库库存编号：IRFI4121H-117P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  
  型号：AUIRLZ44ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZSTRL-ND
  别名：SP001520372
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902GTRPBF
  仓库库存编号：IRF1902GTRPBF-ND
  别名：SP001561612
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  
  型号：AUIRLZ44ZS
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZS-ND
  别名：SP001520382
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902GPBF
  仓库库存编号：IRF1902GPBF-ND
  别名：SP001571184
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V I2PAK
  
  型号：BUK9E1R9-40E,127
  仓库库存编号：568-9870-5-ND
  别名：568-9870-5
  934066511127
  BUK9E1R940E127
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
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