以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C6
  仓库库存编号：APT94N65B2C6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT106N60B2C6
  仓库库存编号：APT106N60B2C6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT94N60L2C3G
  仓库库存编号：APT94N60L2C3G-ND
  别名：APT94N60L2C3GMI
  APT94N60L2C3GMI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C3G
  仓库库存编号：APT94N65B2C3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M80L2VRG
  仓库库存编号：APT60M80L2VRG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 143A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 143A（Tc） 833W（Tc） SP4
  
  型号：APTC60DAM18CTG
  仓库库存编号：APTC60DAM18CTG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 833W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT31N80JC3
  仓库库存编号：APT31N80JC3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 833W（Tc）,
• 无铅
• 搜索