以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 40V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2318AES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2318AES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1NK80ZR-AP
  仓库库存编号：497-6197-1-ND
  别名：497-6197-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1NK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12343-3-ND
  别名：497-12343-3
  STQ1NK60ZRAP
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 3W（Tc）
  
  型号：SQ2362ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2362ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 40V SO23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2389ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2389ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2NK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12345-3-ND
  别名：497-12345-3
  STQ2NK60ZRAP
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 840mA（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2325ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2325ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1HN60K3-AP
  仓库库存编号：497-13784-1-ND
  别名：497-13784-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2301ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2301ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） TO-236
  
  型号：SQ2348ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2348ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2348ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SQ1431EH-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ1431EH-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ1431EH-T1-GE3CT
  SQ1431EH-T1-GE3CT-ND
  SQ1431EH-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3457CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3457CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3457CDV-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-3-ND
  别名：497-12344-3
  STQ2HNK60ZRAP
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2HNK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12344-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ3N45K3-AP
  仓库库存编号：497-10969-1-ND
  别名：497-10969-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1HNK60R-AP
  仓库库存编号：497-15648-1-ND
  别名：497-15648-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2337ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2337ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3453DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3453DV-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 2 个 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3985EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3985EV-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SMM2348ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SMM2348ES-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 500mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ3NK50ZR-AP
  仓库库存编号：STQ3NK50ZR-AP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Tc） 3W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS15N4LLF5
  仓库库存编号：497-10579-1-ND
  别名：497-10579-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4.4A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2360EES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2360EES-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2319ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2319ES-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 3W（Tc）,
• 无铅
• 搜索