规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4484
仓库库存编号:
785-1202-1-ND
别名:785-1202-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252
型号:
DMP6180SK3-13
仓库库存编号:
DMP6180SK3-13DICT-ND
别名:DMP6180SK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 17A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Ta) 1.7W(Ta) TO-252
型号:
DMP3010LK3Q-13
仓库库存编号:
DMP3010LK3Q-13DICT-ND
别名:DMP3010LK3Q-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1902PBFCT-ND
别名:*IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1503TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1503PBFCT-ND
别名:*IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.7W(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD22204WT
仓库库存编号:
296-41137-1-ND
别名:296-41137-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)
型号:
FDZ375P
仓库库存编号:
FDZ375PCT-ND
别名:FDZ375PCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),106A(Tc) 1.7W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4983NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4983NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4983NFT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 1.7W(Ta) 8-PDFN(3x3)
型号:
MCP87130T-U/LC
仓库库存编号:
MCP87130T-U/LCCT-ND
别名:MCP87130T-U/LCCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
DMP3050LSS-13
仓库库存编号:
DMP3050LSS-13DICT-ND
别名:DMP3050LSS-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 1.7W(Ta) TO-252-3
型号:
DMP4025LK3-13
仓库库存编号:
DMP4025LK3-13DICT-ND
别名:DMP4025LK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)
型号:
FDZ371PZ
仓库库存编号:
FDZ371PZCT-ND
别名:FDZ371PZCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4485
仓库库存编号:
785-1551-1-ND
别名:785-1551-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
8-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.7W(Ta) 9-DSBGA(1.5x1.5)
型号:
CSD22206WT
仓库库存编号:
296-47005-1-ND
别名:296-47005-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.7W(Ta) MicroFET 3x3mm
型号:
FDFM2N111
仓库库存编号:
FDFM2N111CT-ND
别名:FDFM2N111CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252
型号:
DMP4010SK3Q-13
仓库库存编号:
DMP4010SK3Q-13DICT-ND
别名:DMP4010SK3Q-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 14A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),45A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMPH4015SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH4015SK3Q-13DICT-ND
别名:DMPH4015SK3Q-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6702TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6702PBFCT-ND
别名:*IRLMS6702TRPBF
IRLMS6702PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 30V 17A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Ta) 1.7W(Ta) TO-252-3
型号:
DMP3010LK3-13
仓库库存编号:
DMP3010LK3-13DICT-ND
别名:DMP3010LK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4413LSS-13
仓库库存编号:
DMG4413LSS-13DICT-ND
别名:DMG4413LSS-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMPB23XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1.7W(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB23XNEZ
仓库库存编号:
1727-2736-1-ND
别名:1727-2736-1
568-13300-1
568-13300-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN1616-
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.7W(Ta) U-DFN1616-6
型号:
DMT3020LFCL-7
仓库库存编号:
DMT3020LFCL-7-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
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