规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 1.7W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4703
仓库库存编号:
785-1133-2-ND
别名:785-1133-2
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.7W(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD22204W
仓库库存编号:
CSD22204W-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ293P
仓库库存编号:
FDZ293P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ299P
仓库库存编号:
FDZ299P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ298N
仓库库存编号:
FDZ298N-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.5)
型号:
FDZ493P
仓库库存编号:
FDZ493PCT-ND
别名:FDZ493PCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ291P
仓库库存编号:
FDZ291PCT-ND
别名:FDZ291PCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-E3CT
SI7366DPT1E3
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ294N
仓库库存编号:
FDZ294NCT-ND
别名:FDZ294NCT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4722
仓库库存编号:
785-1297-1-ND
别名:785-1297-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4724
仓库库存编号:
785-1298-1-ND
别名:785-1298-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4726
仓库库存编号:
785-1315-1-ND
别名:785-1315-1
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4488
仓库库存编号:
AO4488-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4484_101
仓库库存编号:
AO4484_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
AO4485L_102
仓库库存编号:
AO4485L_102-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
AO4488L
仓库库存编号:
AO4488L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta) 1.7W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4705L
仓库库存编号:
AON4705L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
AO4485_102
仓库库存编号:
AO4485_102-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4488L_101
仓库库存编号:
AO4488L_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.3A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS5703TR
仓库库存编号:
IRLMS5703CT-ND
别名:*IRLMS5703TR
IRLMS5703
IRLMS5703CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS6702TR
仓库库存编号:
IRLMS6702CT-ND
别名:*IRLMS6702TR
IRLMS6702
IRLMS6702CT
规格:功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),
含铅
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