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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 36A（Tc） 27.8W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM150P03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
  别名：TSM150P03PQ33 RGGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 36A（Tc） 27.8W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM150P03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM150P03PQ33 RGGCT-ND
  别名：TSM150P03PQ33 RGGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 36A（Tc） 27.8W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM150P03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM150P03PQ33 RGGDKR-ND
  别名：TSM150P03PQ33 RGGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 27.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU4300N80Z
  仓库库存编号：FCU4300N80Z-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 27.8W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF15S60L
  仓库库存编号：785-1518-5-ND
  别名：AOTF15S60L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55.6A（Tc） 27.8W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3006LFG-7
  仓库库存编号：DMT3006LFG-7DICT-ND
  别名：DMT3006LFG-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS429DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS429DNT-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55.6A（Tc） 27.8W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3006LFG-13
  仓库库存编号：DMT3006LFG-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA64DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA64DP-T1-RE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CH POWERPAK SO-8 BWL 30V 2.1MO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA64DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA64DP-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 8A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27.8W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF8N50
  仓库库存编号：AOWF8N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 27.8W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF11N60
  仓库库存编号：785-1446-5-ND
  别名：785-1446-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 15A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 27.8W（Tc）
  
  型号：AOWF15S60
  仓库库存编号：AOWF15S60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 27.8W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R660CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R660CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R660CFD
  IPA65R660CFD-ND
  SP000838284
  
  规格：功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）,
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