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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 60V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2309ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2309ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：SQ2308CES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2308CES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT7N10LTF
  仓库库存编号：FQT7N10LTFCT-ND
  别名：FQT7N10LTFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2W（Tc） TO-236
  
  型号：SQ2310ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2310ES-T1-GE3CT
  SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
  SQ2310ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 12V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2315ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2315ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361AEES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361AEES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT02N40T1G
  仓库库存编号：NDT02N40T1GOSCT-ND
  别名：NDT02N40T1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS1NK60Z
  仓库库存编号：497-12798-1-ND
  别名：497-12798-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FDT3N40TF
  仓库库存编号：FDT3N40TFCT-ND
  别名：FDT3N40TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GTB-ND
  别名：TSM1N45CT A3GTB
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GCT-ND
  别名：TSM1N45CT A3GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2351ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2351ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT5P10TF
  仓库库存编号：FQT5P10TFCT-ND
  别名：FQT5P10TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361ES-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E095BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E095BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E095BNGZETBCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.13A（Ta） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：IRLM220ATF
  仓库库存编号：IRLM220ATFCT-ND
  别名：IRLM220ATFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS4DNFS30
  仓库库存编号：497-6187-1-ND
  别名：497-6187-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT7N10TF
  仓库库存编号：FQT7N10TFCT-ND
  别名：FQT7N10TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Tc） HUML2020L8
  
  型号：RF4E100AJTCR
  仓库库存编号：RF4E100AJTCRCT-ND
  别名：RF4E100AJTCRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E135BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E135BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E135BNGZETBCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3G-ND
  别名：TSM1N45CT B0G
  TSM1N45CT B0G-ND
  TSM1N45CT B0GTR
  TSM1N45CT B0GTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDTL01N60ZT3G
  仓库库存编号：NDTL01N60ZT3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDTL01N60ZT1G
  仓库库存编号：NDTL01N60ZT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2398ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2398ES-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT03N40ZT3G
  仓库库存编号：NDT03N40ZT3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2W（Tc）,
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