以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 31.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4010DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4010DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4010DY-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.7A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4101DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4101DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4101DY-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Tc） 6W（Tc）
  
  型号：SQ4431EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4431EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4431EY-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R4K5P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R4K5P7ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R2K0P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R2K0P7ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4143DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4143DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4143DY-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4005EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4005EY-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4050EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4050EY-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 6W（Tc）,
• 搜索