以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP6A17E6TA
  仓库库存编号：ZXMP6A17E6CT-ND
  别名：ZXMP6A17E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMP3A17E6TA
  仓库库存编号：ZXMP3A17E6CT-ND
  别名：ZXMP3A17E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP10A17E6TA
  仓库库存编号：ZXMP10A17E6CT-ND
  别名：ZXMP10A17E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 197mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZVP4525E6TA
  仓库库存编号：ZVP4525E6CT-ND
  别名：ZVP4525E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3499DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3499DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3499DV-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.1W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN5632N_F085
  仓库库存编号：FDN5632N_F085CT-ND
  别名：FDN5632N_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3443BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3443BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3443BDV-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP6A17E6QTA
  仓库库存编号：ZXMP6A17E6QTADICT-ND
  别名：ZXMP6A17E6QTADICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4447DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4447DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4447DY-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：CPC3703CTR
  仓库库存编号：CPC3703CCT-ND
  别名：CPC3703CCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXM62P02E6TA
  仓库库存编号：ZXM62P02E6CT-ND
  别名：ZXM62P02E6
  ZXM62P02E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN3A03E6TA
  仓库库存编号：ZXMN3A03E6CT-ND
  别名：ZXMN3A03E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP10A17E6QTA
  仓库库存编号：ZXMP10A17E6QTADICT-ND
  别名：ZXMP10A17E6QTADICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P02XTA
  仓库库存编号：ZXM64P02XCT-ND
  别名：ZXM64P02X
  ZXM64P02XCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3460DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3460DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3460DV-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P03XTA
  仓库库存编号：ZXM64P03XCT-ND
  别名：ZXM64P03X
  ZXM64P03XCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.1A（Ta），46.2A（Tc） 1.1W（Ta） V-DFN3030-8
  
  型号：DMT3006LDK-7
  仓库库存编号：DMT3006LDK-7DICT-ND
  别名：DMT3006LDK-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHD3101FT1G
  仓库库存编号：NTHD3101FT1GOSCT-ND
  别名：NTHD3101FT1GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP4A57E6TA
  仓库库存编号：ZXMP4A57E6TACT-ND
  别名：ZXMP4A57E6TACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：HUFA75307T3ST
  仓库库存编号：HUFA75307T3STCT-ND
  别名：HUFA75307T3STCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），36A（Tc） 1.1W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMN2027UPS-13
  仓库库存编号：DMN2027UPS-13DICT-ND
  别名：DMN2027UPS-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2A01E6CT-ND
  别名：ZXMN2A01E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2B03E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2B03E6CT-ND
  别名：ZXMN2B03E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN10B08E6TA
  仓库库存编号：ZXMN10B08E6CT-ND
  别名：ZXMN10B08E6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
• 无铅
• 搜索