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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
SI4447DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4447DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4447DY-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXMN2A03E6TA
仓库库存编号：
ZXMN2A03E6CT-ND
别名：ZXMN2A03E6CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64N02XTA
仓库库存编号：
ZXM64N02XCT-ND
别名：ZXM64N02X
ZXM64N02XCT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 4.8A
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP6050SFG-7
仓库库存编号：
DMP6050SFG-7DICT-ND
别名：DMP6050SFG-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXMN3A01E6TA
仓库库存编号：
ZXMN3A01E6CT-ND
别名：ZXMN3A01E6CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN6A08E6TA
仓库库存编号：
ZXMN6A08E6CT-ND
别名：ZXMN6A08E6CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN10A08E6TA
仓库库存编号：
ZXMN10A08E6CT-ND
别名：ZXMN10A08E6CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZVN4525E6TA
仓库库存编号：
ZVN4525E6CT-ND
别名：ZVN4525E6CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3909CTR
仓库库存编号：
CLA4161-1-ND
别名：CLA4161-1
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23
型号：
SI2307-TP
仓库库存编号：
SI2307-TPMSCT-ND
别名：SI2307-TPMSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.1W（Ta） SC-59
型号：
DMG3407SSN-7
仓库库存编号：
DMG3407SSN-7DI-ND
别名：DMG3407SSN-7DI
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.3A
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
DMS2085LSD-13
仓库库存编号：
DMS2085LSD-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3443BDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3443BDV-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 60V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3701CTR
仓库库存编号：
CPC3701CTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3708CTR
仓库库存编号：
CLA4144CT-ND
别名：CLA4144CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN6A08E6QTA
仓库库存编号：
ZXMN6A08E6QTADICT-ND
别名：ZXMN6A08E6QTADICT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
型号：
UPA2737GR-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2737GR-E1-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXMN3A02X8TA
仓库库存编号：
ZXMN3A02X8CT-ND
别名：ZXMN3A02X8CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64N03XTA
仓库库存编号：
ZXM64N03XTR-ND
别名：ZXM64N03XTR
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXM62N03E6TA
仓库库存编号：
ZXM62N03E6DKR-ND
别名：ZXM62N03E6DKR
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXMN2A02X8TA
仓库库存编号：
ZXMN2A02X8CT-ND
别名：ZXMN2A02X8CT
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64N03XTC
仓库库存编号：
ZXM64N03XTC-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXMN3A03E6TC
仓库库存编号：
ZXMN3A03E6TC-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4
型号：
HUF75309T3ST
仓库库存编号：
HUF75309T3ST-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）,
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