规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9620-55A,118
仓库库存编号:
1727-7192-1-ND
别名:1727-7192-1
568-9681-1
568-9681-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 118W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号:
FDD8453LZ_F085CT-ND
别名:FDD8453LZ_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 118W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19534KCS
仓库库存编号:
296-38676-5-ND
别名:296-38676-5
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 118W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7620-55A,118
仓库库存编号:
BUK7620-55A,118-ND
别名:934056267118
BUK7620-55A /T3
BUK7620-55A /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9520-55A,127
仓库库存编号:
568-9731-5-ND
别名:568-9731-5
934056254127
BUK9520-55A
BUK9520-55A,127-ND
BUK9520-55A-ND
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7520-55A,127
仓库库存编号:
568-9807-5-ND
别名:568-9807-5
934056255127
BUK7520-55A
BUK7520-55A,127-ND
BUK7520-55A-ND
BUK752055A127
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 118W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号:
FDD8453LZ_F085-5-ND
别名:FDD8453LZ_F085-5
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP54N06T,127
仓库库存编号:
PHP54N06T,127-ND
别名:934056643127
PHP54N06T
PHP54N06T-ND
规格:功率耗散(最大值) 118W(Tc),
无铅
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