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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN014-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4624-1-ND
  别名：1727-4624-1
  568-5578-1
  568-5578-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN069-100YS,115
  仓库库存编号：1727-4631-1-ND
  别名：1727-4631-1
  568-5588-1
  568-5588-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN030-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4628-1-ND
  别名：1727-4628-1
  568-5584-1
  568-5584-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN045-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4630-1-ND
  别名：1727-4630-1
  568-5587-1
  568-5587-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF65N06
  仓库库存编号：FQPF65N06FS-ND
  别名：FQPF65N06-ND
  FQPF65N06FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 56W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB21N06LT,118
  仓库库存编号：1727-4762-1-ND
  别名：1727-4762-1
  568-5939-1
  568-5939-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 44A（Tc） 56W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6268
  仓库库存编号：800-3748-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 22A（Tc） 56W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN050-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7212-1-ND
  别名：1727-7212-1
  568-9703-1
  568-9703-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD7N25LZTM
  仓库库存编号：FDD7N25LZTMCT-ND
  别名：FDD7N25LZTMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 56W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ486EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ486EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ486EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD060N03LGINCT
  IPD060N03LGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90C
  仓库库存编号：FQPF6N90C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI1310NPBF
  仓库库存编号：IRFI1310NPBF-ND
  别名：*IRFI1310NPBF
  SP001566772
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80C
  仓库库存编号：FQPF7N80C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 56W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N65M2
  仓库库存编号：497-15259-1-ND
  别名：497-15259-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22N30
  仓库库存编号：FQPF22N30-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N40T
  仓库库存编号：FQPF17N40T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 56W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM088NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM088NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM088NA03CR RLGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 56W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM088NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM088NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM088NA03CR RLGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 56W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM088NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM088NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM088NA03CR RLGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236948
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP065N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP065N03L G
  IPP065N03LG
  IPP065N03LGIN
  IPP065N03LGIN-ND
  IPP065N03LGXK
  SP000254736
  SP000680818
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 22A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN050-80PS,127
  仓库库存编号：568-4901-5-ND
  别名：568-4901-5
  934063909127
  
  规格：功率耗散（最大值） 56W（Tc）,
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