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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN6R3-120PS
  仓库库存编号：1727-1060-ND
  别名：1727-1060
  568-10168-5
  568-10168-5-ND
  934067189127
  PSMN6R3120PS
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 405W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60F_F085
  仓库库存编号：FCB20N60F_F085CT-ND
  别名：FCB20N60F_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN6R3-120ESQ
  仓库库存编号：1727-1508-ND
  别名：1727-1508
  568-10988-5
  568-10988-5-ND
  934067856127
  PSMN6R3-120ESQ-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tj） 405W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R8-100PSEQ
  仓库库存编号：1727-2471-ND
  别名：1727-2471
  568-12856
  568-12856-ND
  934068633127
  PSMN4R8-100PSEQ-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN4R8-100BSEJ
  仓库库存编号：1727-1103-1-ND
  别名：1727-1103-1
  568-10258-1
  568-10258-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 108A
  详细描述：N 沟道 200V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC80NA20
  仓库库存编号：VS-FC80NA20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 405W（Tc）,
• 无铅
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