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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y29-40E,115
  仓库库存编号：1727-1497-1-ND
  别名：1727-1497-1
  568-10977-1
  568-10977-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF33N25T
  仓库库存编号：FDPF33N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.8A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y107-80EX
  仓库库存编号：1727-1119-1-ND
  别名：1727-1119-1
  568-10274-1
  568-10274-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y153-100E,115
  仓库库存编号：1727-1493-1-ND
  别名：1727-1493-1
  568-10973-1
  568-10973-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.7A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y59-60E,115
  仓库库存编号：1727-1812-1-ND
  别名：1727-1812-1
  568-11426-1
  568-11426-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF39N20
  仓库库存编号：FDPF39N20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI520GPBF
  仓库库存编号：IRFI520GPBF-ND
  别名：*IRFI520GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGTR-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Tc） 37W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM085N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM085N03PQ33 RGGDKR-ND
  别名：TSM085N03PQ33 RGGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 37W（Tc）
  
  型号：SIHF30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF30N60E-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 37W（Tc） TO-252
  
  型号：DMN10H100SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H100SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H100SK3-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD15N06-42L_GE3
  仓库库存编号：SQD15N06-42L_GE3CT-ND
  别名：SQD15N06-42L_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y59-60EX
  仓库库存编号：1727-1114-1-ND
  别名：1727-1114-1
  568-10269-1
  568-10269-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R950C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R950C6ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 5.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9520GPBF
  仓库库存编号：IRFI9520GPBF-ND
  别名：*IRFI9520GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ24GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24GPBF-ND
  别名：*IRFIZ24GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRLIZ34NPBF-ND
  别名：*IRLIZ34NPBF
  SP001573820
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 8.5A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z24GPBF
  仓库库存编号：IRFI9Z24GPBF-ND
  别名：*IRFI9Z24GPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ34NPBF-ND
  别名：*IRFIZ34NPBF
  SP001575796
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R950C6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R950C6AKMA1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y29-40EX
  仓库库存编号：1727-1110-1-ND
  别名：1727-1110-1
  568-10265-1
  568-10265-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 37W（Tc）,
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