规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4435
仓库库存编号:
785-1030-1-ND
别名:785-1030-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4441
仓库库存编号:
785-1196-1-ND
别名:785-1196-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4421
仓库库存编号:
785-1025-1-ND
别名:785-1025-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4447A
仓库库存编号:
785-1198-1-ND
别名:785-1198-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4425
仓库库存编号:
785-1026-1-ND
别名:785-1026-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16322Q5
仓库库存编号:
296-25112-1-ND
别名:296-25112-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SON
型号:
CSD16322Q5C
仓库库存编号:
296-25644-1-ND
别名:296-25644-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5
仓库库存编号:
296-24517-1-ND
别名:296-24517-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5C
仓库库存编号:
296-25643-1-ND
别名:296-25643-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4752
仓库库存编号:
785-1597-1-ND
别名:785-1597-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4468
仓库库存编号:
785-1038-1-ND
别名:785-1038-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4576
仓库库存编号:
785-1465-1-ND
别名:785-1465-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4449
仓库库存编号:
785-1199-1-ND
别名:785-1199-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4407A
仓库库存编号:
785-1022-1-ND
别名:785-1022-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4294
仓库库存编号:
785-1732-1-ND
别名:785-1732-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16413Q5A
仓库库存编号:
296-24524-1-ND
别名:296-24524-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名:IRFH9310TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16403Q5A
仓库库存编号:
296-24249-1-ND
别名:296-24249-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5C
仓库库存编号:
296-25645-1-ND
别名:296-25645-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 30V 10.5A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-DFN(2.9x2.3)
型号:
AON3414
仓库库存编号:
785-1725-1-ND
别名:785-1725-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4486
仓库库存编号:
785-1552-1-ND
别名:785-1552-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.5A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17553Q5A
仓库库存编号:
296-30602-1-ND
别名:296-30602-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4494
仓库库存编号:
785-1291-1-ND
别名:785-1291-1
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 17.6A(Ta),76A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMTH4007SK3-13
仓库库存编号:
DMTH4007SK3-13DICT-ND
别名:DMTH4007SK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16.3A(Ta),70A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH6010SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6010SK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6010SK3Q-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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