规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4494H
仓库库存编号:
AO4494H-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4496_101
仓库库存编号:
AO4496_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4202_120
仓库库存编号:
AO4202_120-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4404BL_101
仓库库存编号:
AO4404BL_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4498EL
仓库库存编号:
AO4498EL-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4710L_101
仓库库存编号:
AO4710L_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264_101
仓库库存编号:
AO4264_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264_DELTA
仓库库存编号:
AO4264_DELTA-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4438_101
仓库库存编号:
AO4438_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) TO-262
型号:
IRFSL41N15D
仓库库存编号:
IRFSL41N15D-ND
别名:*IRFSL41N15D
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTR
仓库库存编号:
IRF7811WTR-ND
别名:SP001572286
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTRPBF
仓库库存编号:
IRF7811WPBFCT-ND
别名:*IRF7811WTRPBF
IRF7811WPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7822TRPBF
仓库库存编号:
IRF7822PBFCT-ND
别名:*IRF7822TRPBF
IRF7822PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),33A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH7923TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7923TRPBFCT-ND
别名:IRFH7923TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7914TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7914TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7914TR2PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7936TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7936TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7936TR2PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WGTRPBF
仓库库存编号:
IRF7811WGTRPBFCT-ND
别名:IRF7811WGTRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),76A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7934TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7934TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7934TR2PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),
无铅
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