规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(98)
分立半导体产品
(98)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (9)
Diodes Incorporated (5)
Infineon Technologies (1)
Fairchild/ON Semiconductor (50)
Rohm Semiconductor (5)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Texas Instruments (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT014L
仓库库存编号:
NDT014LCT-ND
别名:NDT014LCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),52A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16412Q5A
仓库库存编号:
296-24256-1-ND
别名:296-24256-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3W(Ta) 8-PSOP
型号:
RMW150N03TB
仓库库存编号:
RMW150N03TBCT-ND
别名:RMW150N03TBCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17327Q5A
仓库库存编号:
296-29019-1-ND
别名:296-29019-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 17A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17552Q5A
仓库库存编号:
296-35580-1-ND
别名:296-35580-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT451AN
仓库库存编号:
NDT451ANCT-ND
别名:NDT451ANCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),81A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16404Q5A
仓库库存编号:
296-24250-1-ND
别名:296-24250-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16342Q5A
仓库库存编号:
296-30314-1-ND
别名:296-30314-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 3W(Ta) 8-PSOP
型号:
RMW180N03TB
仓库库存编号:
RMW180N03TBCT-ND
别名:RMW180N03TBCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),60A(Tc) 3W(Ta) 8-SON-EP(3x3)
型号:
CSD16323Q3C
仓库库存编号:
296-28096-1-ND
别名:296-28096-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 68.8A(Tc) 3W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMT10H010LK3-13
仓库库存编号:
DMT10H010LK3-13DICT-ND
别名:DMT10H010LK3-13DICT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17555Q5A
仓库库存编号:
296-34772-1-ND
别名:296-34772-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT458P
仓库库存编号:
FDT458PCT-ND
别名:FDT458PCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT3612
仓库库存编号:
FDT3612CT-ND
别名:FDT3612CT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT439N
仓库库存编号:
FDT439NCT-ND
别名:FDT439NCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT459N
仓库库存编号:
FDT459NFSCT-ND
别名:FDT459NFSCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17322Q5A
仓库库存编号:
296-29018-1-ND
别名:296-29018-1
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4306GVTA
仓库库存编号:
ZVN4306GVCT-ND
别名:ZVN4306GV
ZVN4306GVCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT457N
仓库库存编号:
FDT457NCT-ND
别名:FDT457NCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT454P
仓库库存编号:
NDT454PFSCT-ND
别名:NDT454PFSCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
TSM05N03CW RPG
仓库库存编号:
TSM05N03CW RPGTR-ND
别名:TSM05N03CW RPGTR
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
TSM05N03CW RPG
仓库库存编号:
TSM05N03CW RPGCT-ND
别名:TSM05N03CW RPGCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
TSM05N03CW RPG
仓库库存编号:
TSM05N03CW RPGDKR-ND
别名:TSM05N03CW RPGDKR
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGTR-ND
别名:TSM9409CS RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGCT-ND
别名:TSM9409CS RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号