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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86265P
仓库库存编号:
FDMA86265PCT-ND
别名:FDMA86265PCT
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL7N6F7
仓库库存编号:
497-16934-1-ND
别名:497-16934-1
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86251
仓库库存编号:
FDMA86251CT-ND
别名:FDMA86251CT
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
FDMA008P20LZ
仓库库存编号:
FDMA008P20LZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.4W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2600T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2600T1R-E2-AX-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
SINGLE PT4 NCH 20/8V ZENER IN ML
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-ULMP(2x2)
型号:
FDMA410NZT
仓库库存编号:
FDMA410NZT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.4W(Ta) V-DFN3333-8
型号:
DMP3007SCG-13
仓库库存编号:
DMP3007SCG-13-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.4W(Ta) V-DFN3333-8
型号:
DMP3007SCG-7
仓库库存编号:
DMP3007SCG-7-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.13A(Tc) 2.4W(Ta) SOT-223-4
型号:
IRFM220BTF_FP001
仓库库存编号:
IRFM220BTF_FP001-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Tc) 2.4W(Ta) 6-SON
型号:
CSD25302Q2
仓库库存编号:
296-25444-1-ND
别名:296-25444-1
规格:功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),
无铅
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