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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ191P
  仓库库存编号：FDZ191PCT-ND
  别名：FDZ191PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7460DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7460DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7460DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7439DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7439DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7439DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMPH6050SK3-13
  仓库库存编号：DMPH6050SK3-13DICT-ND
  别名：DMPH6050SK3-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta） 1.9W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7628
  仓库库存编号：FDMA7628CT-ND
  别名：FDMA7628CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD13306WT
  仓库库存编号：296-41134-1-ND
  别名：296-41134-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta），7.1A（Tc） 1.9W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN15H310SE-13
  仓库库存编号：DMN15H310SE-13DICT-ND
  别名：DMN15H310SE-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7636DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7636DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7636DP-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ197PZ
  仓库库存编号：FDZ197PZCT-ND
  别名：FDZ197PZCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP（1.0x1.5）
  
  型号：FDZ391P
  仓库库存编号：FDZ391PCT-ND
  别名：FDZ391PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），8A（Tc） 1.9W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA8884
  仓库库存编号：FDMA8884CT-ND
  别名：FDMA8884CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMPH6050SK3Q-13
  仓库库存编号：DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMPH6050SK3Q-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 21A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），75A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMTH3004LK3-13
  仓库库存编号：DMTH3004LK3-13DICT-ND
  别名：DMTH3004LK3-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）,
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