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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R1K4CFDBTMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R1K4C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R1K4C6XKSA1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF850N80Z
  仓库库存编号：FCPF850N80Z-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB1R4CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB1R4CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB1R4CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB1R4CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB1R4CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB1R4CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60NB1R4CH C5G
  仓库库存编号：TSM60NB1R4CH C5G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP001292874
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDATMA1-ND
  别名：SP001117732
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6BKMA1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 28.4W（Tc）,
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