规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4568
仓库库存编号:
AO4568-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 900mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2131R-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0349DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0349DSP-01#J0-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x3)
型号:
AON4407_003
仓库库存编号:
AON4407_003-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_002
仓库库存编号:
AON4407L_002-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_003
仓库库存编号:
AON4407L_003-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4421_001
仓库库存编号:
AON4421_001-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L
仓库库存编号:
AON4407L-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD5N50CTM_WS
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_WS-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGTR-ND
别名:TSM4435BCS RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGCT-ND
别名:TSM4435BCS RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGDKR-ND
别名:TSM4435BCS RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7403TR
仓库库存编号:
IRF7403TR-ND
别名:Q829130
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7220
仓库库存编号:
IRF7220-ND
别名:*IRF7220
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463
仓库库存编号:
IRF7463-ND
别名:*IRF7463
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807
仓库库存编号:
IRF7807-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2
仓库库存编号:
IRF7807D2-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809A
仓库库存编号:
IRF7809A-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811A
仓库库存编号:
IRF7811A-ND
别名:*IRF7811A
SP001565580
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811ATR
仓库库存编号:
IRF7811ATR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410
仓库库存编号:
IRF9410-ND
别名:*IRF9410
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY
仓库库存编号:
SI4410DY-ND
别名:*SI4410DY
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
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MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
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SI4435DYTR-ND
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