规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(473)
分立半导体产品
(473)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (13)
Microchip Technology (4)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (28)
Infineon Technologies (248)
IXYS Integrated Circuits Division (4)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (132)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (7)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (12)
Texas Instruments (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7815TRPBF
仓库库存编号:
IRF7815TRPBFCT-ND
别名:IRF7815TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7490TRPBF
仓库库存编号:
IRF7490TRPBFCT-ND
别名:IRF7490TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7831TRPBF
仓库库存编号:
IRF7831PBFCT-ND
别名:*IRF7831TRPBF
IRF7831PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7425TRPBF
仓库库存编号:
IRF7425TRPBFCT-ND
别名:IRF7425TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7420TRPBF
仓库库存编号:
IRF7420PBFCT-ND
别名:*IRF7420TRPBF
IRF7420PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7820TRPBF
仓库库存编号:
IRF7820TRPBFCT-ND
别名:IRF7820TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7853TRPBF
仓库库存编号:
IRF7853TRPBFCT-ND
别名:IRF7853TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9310TRPBF
仓库库存编号:
IRF9310TRPBFCT-ND
别名:IRF9310TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4420DYPBFCT-ND
别名:*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7855TRPBF
仓库库存编号:
IRF7855TRPBFCT-ND
别名:IRF7855TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TRPBF
仓库库存编号:
IRF7458PBFCT-ND
别名:*IRF7458TRPBF
IRF7458PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF
仓库库存编号:
IRF8252TRPBFCT-ND
别名:IRF8252TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2450K4-G
仓库库存编号:
DN2450K4-GCT-ND
别名:DN2450K4-GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6676AS
仓库库存编号:
FDS6676ASCT-ND
别名:FDS6676ASCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3909ZTR
仓库库存编号:
CLA4157-1-ND
别名:CLA4157-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6673BZ_F085
仓库库存编号:
FDS6673BZ_F085CT-ND
别名:FDS6673BZ_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6679
仓库库存编号:
FDS6679CT-ND
别名:FDS6679CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS86141
仓库库存编号:
FDS86141CT-ND
别名:FDS86141CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4465_F085
仓库库存编号:
FDS4465_F085CT-ND
别名:FDS4465_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9317TRPBF
仓库库存编号:
IRF9317TRPBFCT-ND
别名:IRF9317TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TRPBF
仓库库存编号:
IRF7424PBFCT-ND
别名:*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TRPBF
仓库库存编号:
IRF7832PBFCT-ND
别名:*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7410TRPBF
仓库库存编号:
IRF7410TRPBFCT-ND
别名:IRF7410TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717
仓库库存编号:
IRF3717-ND
别名:*IRF3717
SP001561700
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 480mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP4424GTA
仓库库存编号:
ZVP4424GCT-ND
别名:ZVP4424G
ZVP4424GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号