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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001467042
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP11P06
  仓库库存编号：FQP11P06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4CEAUMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP20N06
  仓库库存编号：FQP20N06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP20N06L
  仓库库存编号：FQP20N06L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Ta） 53W（Tc） TO-220
  
  型号：TK30E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK30E06N1S1X-ND
  别名：TK30E06N1,S1X(S
  TK30E06N1S1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.6A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N15
  仓库库存编号：FQPF16N15-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 53W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6011KNX
  仓库库存编号：R6011KNX-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AENW-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7SAUMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  LOW POWER_NEW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001647026
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R950CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA2-ND
  别名：SP001396806
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 5.2A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K5CEAUMA1-ND
  别名：SP001422862
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001605398
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 13A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK95150-55A,127
  仓库库存编号：568-9775-5-ND
  别名：568-9775-5
  934056260127
  BUK95150-55A
  BUK95150-55A,127-ND
  BUK95150-55A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055SM
  仓库库存编号：RFD3055SM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD3055
  仓库库存编号：RFD3055-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055SM9A
  仓库库存编号：RFD3055SM9A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP20N06TSTU
  仓库库存编号：FQP20N06TSTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP3055
  仓库库存编号：RFP3055-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M015A050FH
  仓库库存编号：1560-1182-5-ND
  别名：1560-1182-1
  1560-1182-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 53W（Tc）,
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