规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD5865NLT4G
仓库库存编号：
NTD5865NLT4GOSCT-ND
别名：NTD5865NLT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD6416ANT4G
仓库库存编号：
NTD6416ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6416ANT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD6416ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6416ANLT4GOSCT-ND
别名：NTD6416ANLT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N06N3 G
仓库库存编号：
IPD088N06N3 GCT-ND
别名：IPD088N06N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名：IRFR3806TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3806TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3806TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3806TRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD25CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD25CN10NGATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3806PBF
仓库库存编号：
IRFB3806PBF-ND
别名：SP001572380
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3806PBF
仓库库存编号：
IRFSL3806PBF-ND
别名：SP001571672
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号：
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名：SQD70140EL_GE3TR
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号：
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名：SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 71W（Tc）
型号：
SQD45P03-12_GE3
仓库库存编号：
SQD45P03-12_GE3CT-ND
别名：SQD45P03-12_GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N04S4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S4L04ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S404ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S404ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S404ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名：IPD35N10S3L26ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB090N06N3 G
仓库库存编号：
IPB090N06N3 GCT-ND
别名：IPB090N06N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
无铅
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