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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB3806
  仓库库存编号：AUIRFB3806-ND
  别名：SP001522276
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3806TRL
  仓库库存编号：AUIRFS3806TRL-ND
  别名：SP001516146
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Ta） 71W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6606
  仓库库存编号：FDD6606-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 69A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5804NT4G
  仓库库存编号：NTD5804NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5804NT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6416AN-1G
  仓库库存编号：NTD6416AN-1GOS-ND
  别名：NTD6416AN-1G-ND
  NTD6416AN-1GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 19A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6416ANL-1G
  仓库库存编号：NTD6416ANL-1GOS-ND
  别名：NTD6416ANL-1G-ND
  NTD6416ANL-1GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5865N-1G
  仓库库存编号：NTD5865N-1GOS-ND
  别名：NTD5865N-1G-ND
  NTD5865N-1GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 46A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD5865NL-1G
  仓库库存编号：NTD5865NL-1GOS-ND
  别名：NTD5865NL-1G-ND
  NTD5865NL-1GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5865NT4G
  仓库库存编号：NTD5865NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5865NT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 71W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN3R5-30LL,115
  仓库库存编号：568-5591-1-ND
  别名：568-5591-1
  PSMN3R530LL115
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N04-10A-E3
  仓库库存编号：SUD40N04-10A-E3CT-ND
  别名：SUD40N04-10A-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WPBF
  仓库库存编号：IRLR7811WPBF-ND
  别名：*IRLR7811WPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA
  仓库库存编号：IPBH6N03LA-ND
  别名：IPBH6N03LAT
  SP000068587
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPFH6N03LA G
  仓库库存编号：IPFH6N03LA G-ND
  别名：IPFH6N03LAGXT
  SP000068589
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP26CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP26CN10N G
  IPP26CN10N G-ND
  IPP26CN10NGX
  IPP26CN10NGXK
  SP000096471
  SP000680922
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CNE8N G
  仓库库存编号：IPP26CNE8N G-ND
  别名：IPP26CNE8NGX
  IPP26CNE8NGXK
  SP000096472
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH6N03LA G
  仓库库存编号：IPSH6N03LA G-ND
  别名：IPSH6N03LAGX
  SP000075257
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPUH6N03LA G
  仓库库存编号：IPUH6N03LA G-ND
  别名：IPUH6N03LAGX
  SP000068594
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA G
  仓库库存编号：IPBH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPBH6N03LAG
  IPBH6N03LAGINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCPBF
  仓库库存编号：IRLR7811WCPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCTRRP
  仓库库存编号：IRLR7811WCTRRP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCTRLP
  仓库库存编号：IRLR7811WCTRLP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3806PBF
  仓库库存编号：IRFU3806PBF-ND
  别名：SP001552424
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
  
  型号：IPB26CNE8N G
  仓库库存编号：IPB26CNE8N G-ND
  别名：SP000292948
  
  规格：功率耗散（最大值） 71W（Tc）,
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