规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),63W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17581Q3AT
仓库库存编号:
296-45025-1-ND
别名:296-45025-1
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),63W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),89A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC048N025S G
仓库库存编号:
BSC048N025SGINCT-ND
别名:BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),63W(Tc),
无铅
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