规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(102)
分立半导体产品
(102)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Central Semiconductor Corp (1)
Infineon Technologies (31)
IXYS (2)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (40)
ON Semiconductor (2)
Sanken (3)
STMicroelectronics (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (8)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60
仓库库存编号:
AOTF11S60-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60L
仓库库存编号:
AOTF11S60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PCH 500V 2A MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 2.15A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20RDTU
仓库库存编号:
FQPF5P20RDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FKI07174
仓库库存编号:
FKI07174-ND
别名:FKI07174 DK
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP5N50PM
仓库库存编号:
IXFP5N50PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25RDTU
仓库库存编号:
FDPF51N25RDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 38W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF16N50C-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号:
AUIRFR9024NTRL-ND
别名:SP001518586
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD3055LESM
仓库库存编号:
RFD3055LESM-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP3055LE
仓库库存编号:
RFP3055LE-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N15
仓库库存编号:
FQPF6N15-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76407D3S
仓库库存编号:
HUF76407D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76407D3
仓库库存编号:
HUF76407D3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 100V 8.2A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P10
仓库库存编号:
FQPF12P10-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76407D3
仓库库存编号:
HUFA76407D3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76407D3S
仓库库存编号:
HUFA76407D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76407D3ST
仓库库存编号:
HUFA76407D3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76407P3
仓库库存编号:
HUF76407P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N50C
仓库库存编号:
FQPF5N50C-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号