规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40CT
仓库库存编号:
FQPF6N40CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40C
仓库库存编号:
FQPF6N40C-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76407P3
仓库库存编号:
HUFA76407P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N50CTTU
仓库库存编号:
FQPF5N50CTTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N50CT
仓库库存编号:
FQPF5N50CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N50CFTU
仓库库存编号:
FQPF5N50CFTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13.6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N10L
仓库库存编号:
FQPF19N10L-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 79A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF79N15
仓库库存编号:
FDPF79N15-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40CF
仓库库存编号:
FQPF6N40CF-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS634B_FP001
仓库库存编号:
IRFS634B_FP001-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3
型号:
SIHF18N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF18N50C-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF7T60
仓库库存编号:
AOTF7T60-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 38W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6266_101
仓库库存编号:
AON6266_101-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N03L G
仓库库存编号:
IPP114N03LGIN-ND
别名:IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名:IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU105N03L G
仓库库存编号:
IPU105N03LGIN-ND
别名:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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