规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM
仓库库存编号:
FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD44N4LF6
仓库库存编号:
497-11098-1-ND
别名:497-11098-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9310TRPBFCT-ND
别名:*IRFR9310TRPBF
IRFR9310PBFCT
IRFR9310PBFCT-ND
IRFR9310TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NF03LT4
仓库库存编号:
497-3157-1-ND
别名:497-3157-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
IRFR9214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9214TRPBFCT-ND
别名:IRFR9214TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0280090J-TR
仓库库存编号:
C3M0280090J-TRCT-ND
别名:C3M0280090J-TRCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N25TM
仓库库存编号:
FDD6N25TMCT-ND
别名:FDD6N25TMCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8780
仓库库存编号:
FDD8780CT-ND
别名:FDD8780CT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD65N3LLH5
仓库库存编号:
497-13425-1-ND
别名:497-13425-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N50C3ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720PBF
仓库库存编号:
IRF720PBF-ND
别名:*IRF720PBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20PBF
仓库库存编号:
IRFBC20PBF-ND
别名:*IRFBC20PBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL620PBF
仓库库存编号:
IRL620PBF-ND
别名:*IRL620PBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A60DSTA4QM-ND
别名:TK13A60DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名:BSC12DN20NS3GCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM
仓库库存编号:
FCD4N60TMCT-ND
别名:FCD4N60TMCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 50W(Tc) DPAK+
型号:
TK7S10N1Z,LQ
仓库库存编号:
TK7S10N1ZLQCT-ND
别名:TK7S10N1ZLQCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 1.8A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9310PBF
仓库库存编号:
IRFU9310PBF-ND
别名:*IRFU9310PBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48GPBF-ND
别名:*IRFIZ48GPBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF27S60L
仓库库存编号:
785-1608-5-ND
别名:785-1608-5
AOTF27S60
AOTF27S60-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5016FNX
仓库库存编号:
R5016FNX-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK39A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK39A60WS4VX-ND
别名:TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60C3
仓库库存编号:
SPB04N60C3INCT-ND
别名:SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 50W(Tc) 8-WPAK(3)
型号:
RJK0391DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
别名:RJK0391DPA-00#J5ACT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
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