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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N25TF
  仓库库存编号：FDD6N25TFCT-ND
  别名：FDD6N25TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CF
  仓库库存编号：FQPF10N60CF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CT
  仓库库存编号：FQPF10N60CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6.6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40T
  仓库库存编号：FQPF11N40T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20YDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20YDTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD4N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD4N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD4N60TM_WSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：FDU8780_F071
  仓库库存编号：FDU8780_F071-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20CTM_F080
  仓库库存编号：FQD10N20CTM_F080-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 21A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：IRFS654B_FP001
  仓库库存编号：IRFS654B_FP001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A SC-97
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Ta） 50W（Tc） TFP（9.2x10.7）
  
  型号：2SK3466(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3466(TE24L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK4016(Q)
  仓库库存编号：2SK4016(Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP203-TL-H
  仓库库存编号：869-1079-1-ND
  别名：869-1079-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP207-TL-H
  仓库库存编号：869-1082-1-ND
  别名：869-1082-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP213-TL-H
  仓库库存编号：869-1085-1-ND
  别名：869-1085-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRRPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD35N05-26L-GE3
  仓库库存编号：SQD35N05-26L-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 55A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP103-TL-H
  仓库库存编号：ATP103-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP107-TL-H
  仓库库存编号：ATP107-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF14N50FD
  仓库库存编号：AOTF14N50FD-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8N60
  仓库库存编号：AOTF8N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220V 7.3A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PML340SN,118
  仓库库存编号：1727-7221-1-ND
  别名：1727-7221-1
  568-9717-1
  568-9717-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N90
  仓库库存编号：AOTF10N90-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2A（Ta） 50W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：2SK2225-E
  仓库库存编号：2SK2225-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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