规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(293)
分立半导体产品
(293)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (41)
Global Power Technologies Group (3)
Infineon Technologies (42)
IXYS (13)
Nexperia USA Inc. (2)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (53)
ON Semiconductor (6)
Renesas Electronics America (4)
Rohm Semiconductor (31)
STMicroelectronics (16)
Taiwan Semiconductor Corporation (24)
Toshiba Semiconductor and Storage (14)
Vishay Siliconix (40)
Cree/Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5016FNJTL
仓库库存编号:
R5016FNJTLCT-ND
别名:R5016FNJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
R6012FNJTL
仓库库存编号:
R6012FNJTLCT-ND
别名:R6012FNJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6015FNJTL
仓库库存编号:
R6015FNJTLCT-ND
别名:R6015FNJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6020FNJTL
仓库库存编号:
R6020FNJTLCT-ND
别名:R6020FNJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S4L12ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA2CT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3
仓库库存编号:
SPD04N50C3INCT-ND
别名:SPD04N50C3INCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD10NF10T4
仓库库存编号:
497-3153-1-ND
别名:497-3153-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214PBF
仓库库存编号:
IRFR9214PBF-ND
别名:*IRFR9214PBF
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R8008ANX
仓库库存编号:
R8008ANX-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5013ANXFU6
仓库库存编号:
R5013ANXFU6-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGTR-ND
别名:TSM085P03CV RGGTR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGCT-ND
别名:TSM085P03CV RGGCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGDKR-ND
别名:TSM085P03CV RGGDKR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N10CP ROGTR-ND
别名:TSM900N10CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N10CP ROGCT-ND
别名:TSM900N10CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM900N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM900N10CP ROGDKR-ND
别名:TSM900N10CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NB60CP ROGTR-ND
别名:TSM4NB60CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NB60CP ROGCT-ND
别名:TSM4NB60CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NB60CP ROGDKR-ND
别名:TSM4NB60CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NF06AG
仓库库存编号:
STB25NF06AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGTR-ND
别名:TSM60N900CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGCT-ND
别名:TSM60N900CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N900CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N900CP ROGTR-ND
别名:TSM70N900CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N900CP ROGCT-ND
别名:TSM70N900CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号