规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 460A
详细描述:表面贴装 N 沟道 460A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0105N407L
仓库库存编号:
FDB0105N407LCT-ND
别名:FDB0105N407LCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 310A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0165N807L
仓库库存编号:
FDB0165N807LTR-ND
别名:FDB0165N807L-ND
FDB0165N807LTR
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 310A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0165N807L
仓库库存编号:
FDB0165N807LCT-ND
别名:FDB0165N807LCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 310A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0165N807L
仓库库存编号:
FDB0165N807LDKR-ND
别名:FDB0165N807LDKR
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LTR-ND
别名:FDB0630N1507L-ND
FDB0630N1507LTR
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LCT-ND
别名:FDB0630N1507LCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0630N1507L
仓库库存编号:
FDB0630N1507LDKR-ND
别名:FDB0630N1507LDKR
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT004N03LATMA1
仓库库存编号:
IPT004N03LATMA1CT-ND
别名:IPT004N03LATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS38N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS38N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS38N20DTRLPCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB38N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB38N20DPBF-ND
别名:*IRFB38N20DPBF
SP001556010
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 260A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3703
仓库库存编号:
IRFBL3703-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),300W(Tc),
含铅
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