以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M50L
  仓库库存编号：APT56M50L-ND
  别名：APT56M50LMI
  APT56M50LMI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT43M60L
  仓库库存编号：APT43M60L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH62N65X2
  仓库库存编号：IXTH62N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT150N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT150N25X3HV-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN94N50P2
  仓库库存编号：IXFN94N50P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 不适用
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 63A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50Q3
  仓库库存编号：IXFN80N50Q3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80Q3
  仓库库存编号：IXFN44N80Q3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 28A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100Q3
  仓库库存编号：IXFN32N100Q3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT56F50B2
  仓库库存编号：APT56F50B2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
  
  型号：IXFH60N65X2
  仓库库存编号：IXFH60N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH150N25X3
  仓库库存编号：IXFH150N25X3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT43F60L
  仓库库存编号：APT43F60L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT56F50L
  仓库库存编号：APT56F50L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX20N120
  仓库库存编号：IXFX20N120-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N120
  仓库库存编号：IXFK20N120-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX20N120P
  仓库库存编号：IXFX20N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N120P
  仓库库存编号：IXFK20N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N100P
  仓库库存编号：IXFX26N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N100P
  仓库库存编号：IXFK26N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120
  仓库库存编号：IXFN20N120-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM10DAM05TG
  仓库库存编号：APTM10DAM05TG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM10SKM05TG
  仓库库存编号：APTM10SKM05TG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 780W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索