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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17308Q3
  仓库库存编号：296-27210-1-ND
  别名：296-27210-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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  含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16411Q3
  仓库库存编号：296-24255-1-ND
  别名：296-24255-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16406Q3
  仓库库存编号：296-24251-1-ND
  别名：296-24251-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17304Q3
  仓库库存编号：296-27509-1-ND
  别名：296-27509-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS5P3LLH6
  仓库库存编号：497-15484-1-ND
  别名：497-15484-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS7P4LLF6
  仓库库存编号：497-16045-1-ND
  别名：497-16045-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS10P4LLF6
  仓库库存编号：497-15483-1-ND
  别名：497-15483-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS10P3LLH6
  仓库库存编号：497-15482-1-ND
  别名：497-15482-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS26N3LLH6
  仓库库存编号：497-12348-1-ND
  别名：497-12348-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS6P3LLH6
  仓库库存编号：497-15323-1-ND
  别名：497-15323-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.7W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD13202Q2
  仓库库存编号：296-38911-1-ND
  别名：296-38911-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 2.7W（Ta） TO-252
  
  型号：DMT8012LK3-13
  仓库库存编号：DMT8012LK3-13DICT-ND
  别名：DMT8012LK3-13DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 30V 9A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS9P3LLH6
  仓库库存编号：STS9P3LLH6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Tc） 2.7W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMP6180SK3Q-13
  仓库库存编号：DMP6180SK3Q-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 2.7W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP3007SPS-13
  仓库库存编号：DMP3007SPS-13-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS19N3LLH6
  仓库库存编号：497-12677-1-ND
  别名：497-12677-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7A（Ta） 2.7W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6411
  仓库库存编号：AO6411-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）,
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