规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号:
FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名:FQT1N60CTF_WSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT13N06LTF
仓库库存编号:
FQT13N06LTFCT-ND
别名:FQT13N06LTFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGTR-ND
别名:TSM600P03CS RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGCT-ND
别名:TSM600P03CS RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGDKR-ND
别名:TSM600P03CS RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGTR-ND
别名:TSM1N80CW RPGTR
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGCT-ND
别名:TSM1N80CW RPGCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGDKR-ND
别名:TSM1N80CW RPGDKR
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT13N06TF
仓库库存编号:
FQT13N06TFFSCT-ND
别名:FQT13N06TFFSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-3
型号:
FQT1N80TF_WS
仓库库存编号:
FQT1N80TF_WSCT-ND
别名:FQT1N80TF_WSCT
规格:功率耗散(最大值) 2.1W(Tc),
无铅
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