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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
  别名：BSZ180P03NS3 G
  BSZ180P03NS3 G-ND
  SP000709744
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD5P06VT4
  仓库库存编号：MTD5P06VT4OSCT-ND
  别名：MTD5P06VT4OSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD5P06VT4G
  仓库库存编号：MTD5P06VT4GOSCT-ND
  别名：MTD5P06VT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD5P06VT4GV
  仓库库存编号：MTD5P06VT4GV-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）,
• 无铅
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