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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33.8W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ42DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ42DN25NS3 GCT-ND
  别名：BSZ42DN25NS3 GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3860T
  仓库库存编号：FDPF3860T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM60NB190CZ C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF6N60ZUT
  仓库库存编号：FDPF6N60ZUT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60NB190CI C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF13N60NT
  仓库库存编号：FCPF13N60NT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FDPF3860TYDTU
  仓库库存编号：FDPF3860TYDTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）,
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