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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），63W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），63W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ028N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ028N04LSATMA1-ND
  别名：SP001067016
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），63W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 38A（Ta），211A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET? MD
  
  型号：IRL6283MTRPBF
  仓库库存编号：IRL6283MTRPBFCT-ND
  别名：IRL6283MTRPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），63W（Tc）,
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