规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK4002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK4002DPD-00#J2-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-251
型号:
RJK6002DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6002DPH-E0#T2-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M5DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M5DPA-00#J5A-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M4DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M4DPA-00#J5A-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF6N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF6N40D-E3-ND
别名:SIHF6N40DE3
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN050N20FU6
仓库库存编号:
RDN050N20FU6-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 250V 5A(Ta) 30W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX050N25
仓库库存编号:
RCX050N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK5A45DA(STA4QM)
TK5A45DASTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 450V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 450V 3A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2803
仓库库存编号:
2SK2803-ND
别名:2SK2803 DK
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 500V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK3199
仓库库存编号:
2SK3199-ND
别名:2SK3199 DK
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK3A60DA(STA4QM)-ND
别名:TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
详细描述:表面贴装 P 沟道 54A(Tc) 30W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC013P030Z
仓库库存编号:
FDMC013P030Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2164H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2164H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 600V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2848
仓库库存编号:
2SK2848-ND
别名:2SK2848 DK
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK2A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK2A65D(STA4QM)-ND
别名:TK2A65D(STA4QM)
TK2A65DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2165H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2165H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2160H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2160H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC20GPBF-ND
别名:*IRFIBC20GPBF
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2173H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2173H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK1557DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK1557DPA-00#J0TR-ND
别名:RJK1557DPA-00#J0-ND
RJK1557DPA-00#J0TR
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK1555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK1555DPA-00#J0TR-ND
别名:RJK1555DPA-00#J0-ND
RJK1555DPA-00#J0TR
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
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Sanken
MOSFET N-CH 900V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2943
仓库库存编号:
2SK2943-ND
别名:2SK2943 DK
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2169H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2169H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2170H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2170H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
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