规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(233)
分立半导体产品
(233)
筛选品牌
Global Power Technologies Group (2)
Infineon Technologies (17)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (16)
ON Semiconductor (7)
Renesas Electronics America (29)
Rohm Semiconductor (6)
Sanken (4)
STMicroelectronics (101)
Toshiba Semiconductor and Storage (26)
Vishay Siliconix (22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP8NS25FP
仓库库存编号:
STP8NS25FP-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF14NM65N
仓库库存编号:
497-10316-5-ND
别名:497-10316-5
STF14NM65N-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 27A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STU27N3LH5
仓库库存编号:
STU27N3LH5-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF26NM60N-H
仓库库存编号:
STF26NM60N-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF30N65M5
仓库库存编号:
497-11395-5-ND
别名:497-11395-5
STF30N65M5-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 10A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N52K3
仓库库存编号:
497-11864-5-ND
别名:497-11864-5
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NM65N
仓库库存编号:
497-11867-5-ND
别名:497-11867-5
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 8.4A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI10N62K3
仓库库存编号:
497-13389-5-ND
别名:497-13389-5
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620G
仓库库存编号:
IRFI620G-ND
别名:*IRFI620G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI624G
仓库库存编号:
IRFI624G-ND
别名:*IRFI624G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI720G
仓库库存编号:
IRFI720G-ND
别名:*IRFI720G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620G
仓库库存编号:
IRFI9620G-ND
别名:*IRFI9620G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20G
仓库库存编号:
IRFIBC20G-ND
别名:*IRFIBC20G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20G
仓库库存编号:
IRFIBE20G-ND
别名:*IRFIBE20G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF20G
仓库库存编号:
IRFIBF20G-ND
别名:*IRFIBF20G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520N
仓库库存编号:
IRFI9520N-ND
别名:*IRFI9520N
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620
仓库库存编号:
IRFI620-ND
别名:*IRFI620
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
含铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
2SK2095N
仓库库存编号:
2SK2095N-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 450V 7A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
2SK2299N
仓库库存编号:
2SK2299N-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 450V 5A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
2SK2713
仓库库存编号:
2SK2713-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
2SK2740
仓库库存编号:
2SK2740-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2099H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2099H-EL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI624GPBF
仓库库存编号:
IRFI624GPBF-ND
别名:*IRFI624GPBF
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620GPBF
仓库库存编号:
IRLI620GPBF-ND
别名:*IRLI620GPBF
规格:功率耗散(最大值) 30W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号