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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10L
  仓库库存编号：FQPF13N10L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10
  仓库库存编号：FQPF13N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD4N06LSM9A
  仓库库存编号：RFD4N06LSM9A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 11.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N08L
  仓库库存编号：FQPF17N08L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 11.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF17N08
  仓库库存编号：FQPF17N08-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2140H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2140H-EL-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD3N40TF
  仓库库存编号：FDD3N40TFCT-ND
  别名：FDD3N40TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 25A（Ta） 30W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK2507(F)
  仓库库存编号：2SK2507(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT1072H-EL-E
  仓库库存编号：HAT1072H-EL-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 30W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP201-TL-H
  仓库库存编号：ATP201-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A50D(STA4QM)
  TK4A50DSTA4QM
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 3.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A55DA(STA4QM)
  TK4A55DASTA4QM
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V W-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2055DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2055DPA-00#J0CT-ND
  别名：RJK2055DPA-00#J0CT
  RJK2055DPA00J0
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 39A（Tc） 30W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN010-25YLC,115
  仓库库存编号：568-8525-1-ND
  别名：568-8525-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2057DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2057DPA-00#J0-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2555DPA-00#J0-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2557DPA-00#J0-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5012DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5012DPP-E0#T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5013DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5013DPP-E0#T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6002DPD-00#J2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6012DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6012DPP-E0#T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6013DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6013DPP-E0#T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJL5012DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJL5012DPP-M0#T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 30W（Tc）,
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