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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 16A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS401EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS401EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS401EN-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF2710T
  仓库库存编号：FDPF2710T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 62.5W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M0280120D
  仓库库存编号：C2M0280120D-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC900N20NS3GCT-ND
  别名：BSC900N20NS3GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSZ16DN25NS3GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSZ900N20NS3GCT-ND
  别名：BSZ900N20NS3GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSC16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSC16DN25NS3GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS484ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS484ENW-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS481ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS481ENW-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD5N50NZFTM
  仓库库存编号：FDD5N50NZFTMCT-ND
  别名：FDD5N50NZFTMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 105A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL105NS3LLH7
  仓库库存编号：497-14986-1-ND
  别名：497-14986-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF17N60NT
  仓库库存编号：FDPF17N60NTFS-ND
  别名：FDPF17N60NT-ND
  FDPF17N60NTFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH2925U,115
  仓库库存编号：1727-3121-1-ND
  别名：1727-3121-1
  568-2344-1
  568-2344-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL56N3LLH5
  仓库库存编号：497-11849-1-ND
  别名：497-11849-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL51N3LLH5
  仓库库存编号：497-12980-1-ND
  别名：497-12980-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA24DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA24DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA24DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQSA80ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQSA80ENW-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N750CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N750CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N750CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N750CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N750CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N750CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N750CP ROGTR-ND
  别名：TSM70N750CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N750CP ROGCT-ND
  别名：TSM70N750CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N750CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N750CP ROGDKR-ND
  别名：TSM70N750CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60N750CH C5G
  仓库库存编号：TSM60N750CH C5G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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