规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(8)
分立半导体产品
(8)
筛选品牌
Vishay Siliconix (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610SPBF
仓库库存编号:
IRF610SPBF-ND
别名:*IRF610SPBF
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK
型号:
IRF610LPBF
仓库库存编号:
IRF610LPBF-ND
别名:*IRF610LPBF
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF610STRLPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRRPBF
仓库库存编号:
IRF610STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610S
仓库库存编号:
IRF610S-ND
别名:*IRF610S
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3W(Ta),36W(Tc),
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号