规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS410DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS410DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS402DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS402DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS402DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7812DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7812DN-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS456DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7315DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7315DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7315DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6296
仓库库存编号:
FDD6296CT-ND
别名:FDD6296CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS454DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc)
型号:
SI7102DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS452DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS434DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS434DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS434DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS430DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS430DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS430DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS776DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS776DN-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7720DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7720DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7720DN-T1-GE3TR
SI7720DNT1GE3
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6696
仓库库存编号:
FDD6696-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 15A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU6296
仓库库存编号:
FDU6296-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7100DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7100DN-T1-E3TR-ND
别名:SI7100DN-T1-E3TR
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7601DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7601DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7601DN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc),
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