规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB33N15DPBF-ND
别名:*IRFB33N15DPBF
SP001566470
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3705NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL3705NSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS33N15DTRLP-ND
别名:SP001573500
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NS
仓库库存编号:
IRL3705NS-ND
别名:*IRL3705NS
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRL
仓库库存编号:
IRL3705NSTRL-ND
别名:SP001571922
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15D
仓库库存编号:
IRFS33N15D-ND
别名:*IRFS33N15D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15D
仓库库存编号:
IRFB33N15D-ND
别名:*IRFB33N15D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL33N15D
仓库库存编号:
IRFSL33N15D-ND
别名:*IRFSL33N15D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705NL
仓库库存编号:
IRL3705NL-ND
别名:*IRL3705NL
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRR
仓库库存编号:
IRL3705NSTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
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型号:
IRFS33N15DPBF
仓库库存编号:
IRFS33N15DPBF-ND
别名:*IRFS33N15DPBF
SP001571762
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
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型号:
IRL3705NLPBF
仓库库存编号:
IRL3705NLPBF-ND
别名:*IRL3705NLPBF
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号:
IRFSL23N20D102P-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
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MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
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型号:
IRFSL33N15DTRRP
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IRFSL33N15DTRRP-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),170W(Tc),
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